SWIR LED
SWIR LED 1,040–1,650nm · 확장 모델 1,720/1,900nm
DOWA InGaAs SWIR LED의 표준 라인업은 1,040–1,650nm이며, 소형 베어 다이 표에는 1,720nm와 1,900nm 확장 모델도 포함됩니다. 베어 다이와 패키지 옵션을 머신비전, 수분·식품 분석, 헬스케어 센싱 등 용도에 맞춰 검토합니다.
파장 범위
UV
Visible
IR
SWIR
MWIR
200nm1000nm3000nm5000nm+
선정 포인트
선정 포인트
DOWA 비교 데이터
1,300nm SMD 제품은 DOWA의 기존 베어 다이 비교 조건에서 방사 출력 향상 수치가 제시됩니다. 적용 조건은 데이터시트로 확인합니다.
양산 라인업
표준 파장과 패키지별 공급 가능 수량·납기는 모델 단위로 확인합니다.
패키지 선택
Bare die, SMD, 다이 어레이 등 광학계와 조립 공정에 맞는 형태를 협의합니다.
표준·확장 범위 구분
표준 1,040–1,650nm와 확장 1,720/1,900nm 모델을 표에서 구분해 선택할 수 있습니다.
표준·확장 베어 다이
소형 베어 다이 (350×350 μm)
1,040–1,650nm는 표준 범위, 1,720/1,900nm는 확장 모델입니다. 표의 전기·광학 값은 기존 공개 모델 표를 유지했습니다.
소형 베어 다이 — 350μm × 350μm
| Model | Peak λ | Po @20mA | Vf | Chip size | 적용 참고 |
|---|---|---|---|---|---|
| SECSR | 1,040 nm | 11.0 mW | 1.3 V | 350×350 μm | Glucose · Alcohol · Water |
| SSCSR | 1,060 nm | 10.4 mW | 1.2 V | 350×350 μm | Healthcare sensing |
| SRCSR | 1,080 nm | 9.8 mW | 1.2 V | 350×350 μm | Healthcare sensing |
| SUCSR | 1,100 nm | 10.4 mW | 1.2 V | 350×350 μm | General SWIR |
| SVCSR | 1,140 nm | 8.0 mW | 1.2 V | 350×350 μm | Reference channel |
| E2RF2S | 1,200 nm | 5.2 mW | 1.0 V | 350×350 μm | Methane · CH₄ band |
| E3RF2S | 1,300 nm | 5.8 mW | 1.0 V | 350×350 μm | Si-transparent · wafer inspection |
| E3HF2S | 1,350 nm | 5.2 mW | 0.9 V | 350×350 μm | Glucose · alcohol |
| E4RF2S | 1,460 nm | 4.5 mW | 0.9 V | 350×350 μm | Water absorption peak |
| E5RF2S | 1,550 nm | 3.7 mW | 0.9 V | 350×350 μm | Lipid · CO₂ short band |
| E6RF2S | 1,650 nm | 2.8 mW | 0.8 V | 350×350 μm | CO · lipid |
| E7RF2S | 1,720 nm | 2.5 mW | 0.8 V | 350×350 μm | Extended SWIR |
| E9RF2S | 1,900 nm | 2.1 mW | 0.8 V | 350×350 μm | Extended SWIR |
고출력 베어 다이
대형 베어 다이 (1080×1080 μm)
표에 기재된 1.5A 조건과 모델별 출력을 기준으로 비교하세요.
대형 베어 다이 — 1080μm × 1080μm @ 1.5A
| Model | Peak λ | Po @1.5A | Vf | Chip size | 적용 참고 |
|---|---|---|---|---|---|
| SE09S | 1,040 nm | 575 mW | 1.5 V | 1080×1080 μm | High-power illumination |
| SS09S | 1,060 nm | 557 mW | 1.5 V | 1080×1080 μm | High-power illumination |
| SU09S | 1,100 nm | 543 mW | 1.5 V | 1080×1080 μm | Industrial inspection |
| E3RXBR | 1,300 nm | 230 mW | 1.3 V | 1080×1080 μm | Wafer inspection (high-power) |
| E4RXBR | 1,460 nm | 162 mW | 1.3 V | 1080×1080 μm | Moisture imaging |
| E5RXBR | 1,550 nm | 140 mW | 1.3 V | 1080×1080 μm | High-power lipid sensing |
| E6RXBR | 1,650 nm | 86 mW | 1.2 V | 1080×1080 μm | High-power CO/lipid |
* SMD, 어레이와 맞춤 본딩 가능 여부는 모델과 수량에 따라 별도 확인합니다.
적용 분야
적용 분야
- 비침습 헬스케어 센싱
- 알코올 센서
- 가스 센서
- 반도체 웨이퍼 검사
- 식품·농산물 품질관리
- 위변조 검사
- 생체 인증
- 머신비전
파장 선택 기준
응용 분야별 SWIR 파장 검토
흡수 특성과 검출 구성에 따라 후보 파장이 달라집니다. 아래 내용은 초기 검토용이며 최종 모델은 시스템 조건과 데이터시트로 확인합니다.
| 응용 분야 | 검토 파장 | 검토 이유 |
|---|---|---|
| 헬스케어 센싱 | 1,040 – 1,100 nm | 소형·대형 다이 모델이 모두 있어 필요한 조사 면적과 구동 조건을 함께 검토합니다. |
| 반도체 웨이퍼 검사 | 1,300 nm | 실리콘 투과 검사 후보 파장. 소형 E3RF2S와 대형 E3RXBR 모델이 표에 기재됩니다. |
| 수분 측정 · 식품 QC | 1,460 nm | 수분 흡수 기반 측정의 후보 파장. 검출기 감도와 광로를 함께 확인합니다. |
| 지질 분석 | 1,550 nm | 지질 관련 측정 후보 파장. 실제 시료 스펙트럼으로 적합성을 검증합니다. |
| 확장 SWIR | 1,720 / 1,900 nm | E7RF2S·E9RF2S 확장 모델. 표준 1,040–1,650nm 범위와 구분합니다. |
FAQ
자주 묻는 질문
Q.SWIR LED 범위는 어디까지인가요?+
이 페이지의 표준 라인업은 1,040–1,650nm입니다. 소형 베어 다이 표에는 1,720nm와 1,900nm 확장 모델도 별도로 표시했습니다.
Q.반도체 웨이퍼 검사에는 어떤 모델이 있나요?+
1,300nm 소형 E3RF2S와 고출력 대형 E3RXBR가 표에 기재됩니다. 최종 선택은 조사 면적, 검출기와 구동 조건을 함께 검토해야 합니다.
Q.샘플과 데이터시트는 어떻게 요청하나요?+
모델 또는 목표 파장, 패키지와 수량을 문의 양식에 적어 주시면 자료 제공 범위와 샘플 가능 여부를 확인합니다.
SWIR 요구 사양을 보내주세요
목표 파장, 구동 전류, 출력, 패키지, 수량을 알려주시면 해당 모델의 자료와 공급 가능 여부를 확인합니다.