GaAs 웨이퍼
중국 통제와 무관한
일본산 GaAs 웨이퍼
일본 DOWA Electronics Materials의 GaAs 웨이퍼를 정식 수입·유통합니다. 중국의 갈륨·GaAs 수출 통제로 공급 리스크가 커진 지금, DOWA 제품은 일본산으로 통제 영향권 밖에 있어 라이선스 리스크 없이 안정적으로 확보 가능합니다.
DOWA Electronics Materials 정식 에이전시
공급망 리스크
왜 일본산 GaAs인가
중국은 전 세계 갈륨 생산량의 약 98%를 점유하며, 2023년 갈륨·GaAs 수출 허가제를 도입했습니다. 미국向 통제는 2025년 11월~2026년 11월 일시 중단됐지만 제도 자체는 유효하며 언제든 재개될 수 있고, 갈륨 추출 기술 수출 금지는 유지되고 있습니다. DOWA 일본산 GaAs는 이 통제 영향권 밖에 있어 공급 이원화의 핵심 카드입니다.
중국산 GaAs
- 전 세계 갈륨 생산량 약 98% 중국 점유
- MOFCOM 허가제 도입 이력 + 재개 가능성
- 갈륨 추출 기술 수출 금지 유지 중
- 단일 국가 의존 — 공급 중단·가격 급등 위험
DOWA 일본산 GaAs
- 일본 자체 정련·결정 성장 공정
- 중국 수출 통제와 무관 — 라이선스 불필요
- 동화아이엔디 정식 수입·유통 (원스톱 통관)
- 안정적 장기 공급 + 이력 관리
제품 라인업
GaAs 전 영역 커버
DOWA 정식 수입 + 글로벌 소싱으로 도전성·반절연·EPI 웨이퍼 전 영역에 대응합니다.
도전성 ★
도전성 (Conductive) GaAs
- 방식
- VGF
- 도전형
- N-type (Si) / P-type (Zn)
- 특징
- 저(低) EPD · 높은 캐리어 농도
- 용도
- 적외선·적색 LED, LD
반절연
반절연 (Semi-Insulating) GaAs
- 타입
- Undoped Semi-Insulating
- 구경
- 2" ~ 6"
- 용도
- MMIC, HBT, pHEMT
- 공급
- 글로벌 소싱 대응
EPI
에피택셜 (EPI) 웨이퍼
- 방식
- 주문 기반 에피택셜 성장
- 구경
- 협의
- 용도
- 5G RF · 적외선 디바이스
- 공급
- 맞춤 사양 협의
사양
도전성 (Conductive) GaAs
도전성 GaAs 웨이퍼 사양
| 항목 | 사양 |
|---|---|
| 제조 방식 | VGF (Vertical Gradient Freeze) |
| 도전형 | N-type (Si-doped) / P-type (Zn-doped) |
| 결정 방위 | (100) / (111) 등 협의 |
| EPD (결함밀도) | 저(低) EPD — LD·LED 급 (DOWA 데이터시트 기준) |
| 구경 | 2" / 3" / 4" / 6" (사양 협의) |
| 주요 용도 | 적외선·적색 LED, 레이저다이오드, VCSEL Epi |
| 원산지 | 일본 (중국 수출 통제 영향권 밖) |
※ 반절연(Semi-Insulating) GaAs · 특수 EPI 웨이퍼는 글로벌 소싱으로 별도 대응합니다.
적용 분야
주요 응용 분야
광소자
LED · LD · PD · VCSEL
RF · 마이크로파
5G · 위성 · 방산
센싱
적외선 · 의료
에너지
태양전지
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