GaAs 웨이퍼
DOWA 도전성 GaAs와
별도 소싱 옵션
동화아이엔디는 DOWA Electronics Materials의 일본산 도전성 VGF GaAs 웨이퍼를 공식 채널로 공급합니다. 반절연·EPI 웨이퍼는 글로벌 소싱 품목이며, 제조사·원산지·사양을 견적 단계에서 구분해 안내합니다.
DOWA 도전성 GaAs 공식 공급 채널
확인 절차
원산지와 거래 조건을 주문별로 검토합니다
수출입 요건은 원산지, 목적지, 최종 사용자와 용도에 따라 달라질 수 있습니다. 견적 및 계약 단계에서 공급 제조사, 원산지, 사양 문서와 필요한 무역 컴플라이언스 항목을 개별 확인합니다.
견적에 필요한 정보
- 웨이퍼 구경과 두께
- 도전형·도핑 또는 반절연 타입
- 결정 방위, 표면 마감, EPI 구조
- 수량, 목적지, 최종 용도
공급 범위 구분
- DOWA: 도전성 VGF GaAs
- 반절연·EPI: 글로벌 소싱 별도 대응
- 제조사·원산지·사양을 견적서에 명시
- 거래별 공급 가능 여부와 컴플라이언스 확인
제품 라인업
타입별 공급 경로
DOWA 도전성 웨이퍼와 글로벌 소싱 품목을 동일 제조사 제품처럼 표시하지 않고 분리해 안내합니다.
도전성 ★
도전성 (Conductive) GaAs
- 방식
- VGF
- 도전형
- N-type (Si) / P-type (Zn)
- 특징
- 저(低) EPD · 높은 캐리어 농도
- 용도
- 적외선·적색 LED, LD
반절연
반절연 (Semi-Insulating) GaAs
- 타입
- Undoped Semi-Insulating
- 구경
- 2" ~ 6"
- 용도
- MMIC, HBT, pHEMT
- 공급
- 글로벌 소싱 대응
EPI
에피택셜 (EPI) 웨이퍼
- 방식
- 주문 기반 에피택셜 성장
- 구경
- 협의
- 용도
- 5G RF · 적외선 디바이스
- 공급
- 맞춤 사양 협의
사양
DOWA 도전성 (Conductive) GaAs
도전성 GaAs 웨이퍼 사양
| 항목 | 사양 |
|---|---|
| 제조 방식 | VGF (Vertical Gradient Freeze) |
| 도전형 | N-type (Si-doped) / P-type (Zn-doped) |
| 결정 방위 | (100) / (111) 등 협의 |
| EPD (결함밀도) | 저(低) EPD — LD·LED 급 (DOWA 데이터시트 기준) |
| 구경 | 2" / 3" / 4" / 6" (사양 협의) |
| 주요 용도 | 적외선·적색 LED, 레이저다이오드, VCSEL Epi |
| 제조사·원산지 | DOWA Electronics Materials · Japan |
※ 반절연 GaAs와 특수 EPI 웨이퍼는 DOWA 공급 범위가 아닌 글로벌 소싱 품목으로 별도 확인합니다.
적용 분야
주요 응용 분야
광소자
LED · LD · PD · VCSEL
RF · 마이크로파
5G · 위성 · 방산
센싱
적외선 · 의료
에너지
태양전지
현재 사용 사양을 보내주세요
구경, 타입·도핑, 결정 방위, 두께·표면, 수량과 최종 용도를 알려주시면 공급 경로와 확인 필요 항목을 구분해 회신합니다.